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产品特点

 

·芯片与底板电气绝缘

·国际标准封装

·压接结构,优良的温度特性和功率循环能力

·安装简单,使用维修方便

·体积小,重量轻

典型应用

 

·逆变器 ·感应加热 ·斩波器

说明

 

·VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+100V

·除非另做说明,IGTVGTIHVTM均为25测试值。表中参数皆为在TJM下的测试值。

·I²t=I²FSMtW/2; tW=正弦半波电流底宽。在50HZ下,I²t (10ms)=0.005I²TSM(A²S)

 

 

 

 

IT(AV)@TC

VDRMVRRM

ITSM

I2t

tq

dv/dt

di/dt

IDRMIRRM

IGT

VGT

IH

VTM/ITM

VTO

rT

Rth(j-c)

Tjm

 

 

外形

 

 

10ms

100

115

25

115

Per chip

 

A  

V

kA

kA2S

μs

V/μs

A/μs

mA

mA

V

mA

V/A

V

m.ohm

/W

LxC75

75 85

600-1600

1.6

13

15-35

800

200

30

200

2.5

200

2.6/225

0.85

4.88

0.200

115

M7

LxC150

150 85

600-1600

3.4

58

15-35

800

200

40

200

2.5

200

2.65/450

0.85

1.66

0.140

115

M7

LxC200

200 85

600-1600

4.8

115

15-35

800

200

50

200

2.5

200

2.65/600

0.90

1.15

0.100

115

M7

LxC300

300 85

600-1600

7.3

266

15-35

800

200

80

200

3.0

200

1.75/900

0.90

0.74

0.070

115

M9

LxC300*

300* 55

600-1600

5.6

160

15-35

800

200

50

200

3.0

200

2.20/900

0.90

1.17

0.110

115

M19

LxC400*

400* 55

600-1600

7.8

310

15-35

800

200

80

200

3.0

200

2.4/1200

0.90

0.80

0.087

115

M21



 

返回

 

型号

IF(AV)@TC

VRRM

IFSM

I2t

IRRM

trr

VFM/IFM

VTO

rT

Rth(j-c)

Tjm

 

外形

 

 

10ms

140

25

140

Per chip

 

A  

V

kA

kA2s

mA

μs

V/A

V

m.ohm

/W

LZC75

75 100

600-1600

2.00

20

20

4.0

2.00/225

0.80

4.25

0.310

140

M7

LZC150

150 100

600-1600

3.80

72

30

4.0

1.60/450

0.80

1.38

0.210

140

M7

LZC200

200 100

600-1600

5.50

151

40

4.0

1.58/600

0.85

0.92

0.150

140

M7

LZC300

300 100

600-1600

8.30

344

70

4.0

1.55/900

0.85

0.58

0.100

140

M9

LZC300*

300* 60

600-1600

6.00

180

40

4.0

2.05/900

0.85

1.06

0.160

140

M19