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说明

 

·VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+100V

·除非另做说明,IGTVGTIHVTM均为25测试值。表中参数皆为在TJM下的测试值。

·I²t=I²FSMtW/2; tW=正弦半波电流底宽。在50HZ下,I²t (10ms)=0.005I²TSM(A²S)

 

 

 

 

 

返回

型号

VDRMMVRRM

IT(AV)

ITSM

I²t

dv/dt

di/dt

IDRMIRRM

IGT

VGT

IH

VTM/ITM

VTO

rT

Rth(j-c)

Tjm

Viso

外形

 

Tc85

10ms

125

25

125

Per chip

 

 

V

A

kA  

kA²S

V/µs

V/µs

mA

mA

V

mA

V/A

V

m.ohm

/W

V(AC)

LT×26

600-1800

26

0.65

2.1

800

50

8

150

2.5

150

1.69/80

0.85

9.68

0.950

125

2500

M1/2

LT×40

600-1800

40

1.5

6.6

800

50

8

150

2.5

150

1.60/120

0.85

5.57

0.650

125

2500

M1/2

LT×55

600-1800

55

1.5

11.3

800

50

8

150

2.5

150

1.60/170

0.85

3.47

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125

2500

M1/2

LT×70

600-1800

70

1.7

14.5

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50

10

150

2.5

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10

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2.5

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100

12

150

2.5

150

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0.80

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125

2500

M2

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65

800

100

15

150

2.5

150

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150

2.5

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7

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100

20

150

2.5

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M6

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100

25

180

2.5

180

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0.85

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100

25

180

2.5

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0.120

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M7

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100

35

180

2.5

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100

35

180

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0.53

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M7

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350

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2.5

180

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0.36

0.090

125

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M9

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3.0

200

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3.0

200

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600

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200

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M10/15

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800

100

45

200

3.0

200

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800

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200

3.0

200

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125

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3380

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100

55

200

3.0

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125

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型号

VDRMMVRRM

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IDRMIRRM

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VGT

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VTM/ITM

VTO

rT

Rth(j-c)

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Viso

外形

 

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10ms

125

25

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26

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9.68

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1900-2500

40

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6.6

800

50

10

150

2.5

150

2.75/120

0.85

5.57

0.650

125

3000

M1/2

LT×55

1900-2500

55

1.5

11.3

800

50

10

150

2.5

150

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4.80

0.490

125

3000

M1/2

LT×70

1900-2500

70

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12

150

2.5

150

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0.85

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125

3000

M1/2

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25

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100

12

150

2.5

150

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M2

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100

20

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2.5

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M6

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100

30

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2.5

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100

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200

3.0

200

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3000

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500

13

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200

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200

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200

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3.0

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60

200

3.0

200

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M18

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60

200

3.0

200

2.0/3000

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125

3000

M18

型号

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VGT

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rT

Rth(j-c)

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Viso

外形

 

Tc85

10ms

125

25

125

Per chip

 

 

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A

kA  

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V/µs

V/µs

mA

mA

V

mA

V/A

V

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/W

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110

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22

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100

20

150

2.5

200

2.68/330

1.15

2.88

0.190

125

4000

M6

LT×135

2600-3600

135

2.6

34

800

100

25

150

2.5

200

2.58/410

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2.40

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125

4000

M6

LT×200

2600-3600

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180

800

100

40

180

2.5

200

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1.30

0.120

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4000

M7

LT×250

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250

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245

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100

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2.5

200

2.63/750

0.91

0.90

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4000

M9

LT×300

2600-3600

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800

100

55

180

2.5

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1.00

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125

4000

M9

LT×400

2600-3600

400

10.5

551

800

100

55

200

3.0

200

2.35/1200

0.98

0.88

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125

4000

M15

LT×500

2600-3600

500

12.5

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800

100

55

200

3.0

200

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0.95

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0.05

125

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M15

LT×800

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800

100

55

200

3.0

200

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0.85

0.19

0.041

125

4000

M15

型号

VDRMMVRRM

IT(AV)

ITSM

I²t

dv/dt

di/dt

IDRMIRRM

IGT

VGT

IH

VTM/ITM

VTO

rT

Rth(j-c)

Tjm

Viso

外形

 

Tc55

10ms

125

25

125

Per chip

 

 

V

A

kA  

kA2S

V/µs

V/µs

mA

mA

V

mA

V/A

V

m.ohm

/W

V(AC)

LT×400*

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400

12.5

781

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100

35

200

3.0

200

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0.80

0.80

0.110

125

2500

M19

LT×500*

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14.5

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100

35

200

3.0

200

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0.80

0.64

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125

2500

M21

LT×600*

600-1800

600

16

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45

200

3.0

200

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0.073

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M21

LT×800*

600-1800

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800

100

45

200

3.0

200

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125

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M24

LT×1000*

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1000

26

3380

800

100

55

200

3.0

200

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0.21

0.052

125

2500

M24

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26

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800

100

55

200

3.0

200

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125

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M24

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400

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605

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3.0

200

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M19

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200

3.0

200

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0.78

0.073

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M21

LT×600*

1900-2500

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14

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800

100

50

200

3.0

200

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0.89

0.83

0.054

125

3000

M24

LT×800*

1900-2500

800

16

1280

800

100

50

200

3.0

200

2.35/2400

0.88

0.47

0.048

125

3000

M24

LT×1000*

1900-2500

1000

18

1620

800

100

50

200

3.0

200

2.35/3000

0.85

0.20

0.052

125

3000

M24

LT×400*

2600-3600

400

10.5

551

800

100

50

200

3.0

200

2.85/1200

1.12

1.25

0.073

125

4000

M21

LT×500*

2600-3600

500

12.5

781

800

100

50

200

3.0

200

2.95/1500

1.09

1.19

0.054

125

4000

M24

LT×600*

2600-3600

600

14

980

800

100

55

200

3.0

200

2.95/1800

1.02

0.95

0.048

125

4000

M24